並不意味著一切順利
英特爾已完成其 Intel 18A（1.8nm 級）和 Intel 20A（2nm 級）的開發) 英特爾代工服務 (IFS) 部門 Tom’s Hardware 說。
英特爾中國區總裁兼董事長王銳表示，該公司已經完成了英特爾18A（18埃級）和英特爾20A（20埃級）製造工藝的開發。這並不意味著生產節點已準備好用於商業製造，而是 Chipzilla Intel 已經確定了規格、材料、要求和性能目標。
英特爾的 20A 製造技術將依賴環柵 RibbonFET 晶體管，並將使用背面供電。如果成功，20A 將使英特爾超越該公司的競爭對手——台積電和三星代工廠。英特爾計劃在 2024 年上半年開始使用該節點。
英特爾的 18A 製造工藝將進一步完善公司的 RibbonFET 和 PowerVia 技術，並縮小晶體管尺寸。該節點的開發顯然進展順利，以至於英特爾將其推出時間從 2025 年推遲到 2024 年下半年。英特爾最初計劃為其 1.8 埃節點使用具有 0.55 數值孔徑 (NA) 光學器件的 ASML Twinscan EXE 掃描儀，但現在它認為它可以使用其現有的具有 0.33 NA 光學器件的 Twinscan NXE 掃描儀，以及 EUV 雙圖案。
英特爾首席執行官帕特 [踢] 基辛格說:“我們繼續在英特爾 18A 上取得進展，並且已經已經與我們的主要客戶分享了 PDK 0.5（流程設計工具包）的工程版本，並期望在接下來的幾週內發布最終產品。”