英特爾在方面取得了重大進展開發英特爾 18A（1.8 納米級）和英特爾 20A（2 納米級）製造工藝。這些工藝將用於為英特爾的產品及其英特爾代工服務（IFS）部門客戶製造芯片。
英特爾中國區總裁兼董事長王銳宣布，公司已經完成了這些工藝的開發.英特爾已經確定了這兩種技術的所有規格、材料、要求和性能目標。這是這些流程發展過程中的一個重要里程碑。
英特爾 20A 製造工藝將使用環柵 (GAA) RibbonFET 晶體管和 PowerVia 背面供電 (BPD)。這個過程包括縮小金屬間距、引入新的晶體管結構以及增加背面電源。這是一個重大挑戰，但它將使英特爾超越競爭對手台積電和三星晶圓代工廠，重現昔日的輝煌。英特爾計劃在 2024 年上半年開始使用該節點。
英特爾 18A 製造工藝進一步完善了公司的 RibbonFET 和 PowerVia 技術，以減小晶體管尺寸。該節點的開發進展順利，英特爾將其推出時間推遲到 2025 年底至 2024 年底。最初，英特爾計劃使用具有 0.55 數值孔徑 (NA) 光學元件的 Twinscan EXE 掃描儀，即 ASML 的 High NA，用於 1.8 埃節點但決定早點開始使用這項技術，所以決定使用0.33NA。公司預計，2024年下半年1.8nm級製造技術進入HVM（High Volume Manufacturing）時，將成為業界最先進的節點。