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在中國閃存市場峰會（CFMS2023）期間，三星電子與美光、Kioxa、Arm、Solidigm 和 Phison 等其他閃存公司一起討論了“閃存的再進化”和邁向新時代。”三星電子特別提到其計劃使用未來的 3D NAND 技術提供容量高達 PB 的 SSD，儘管由於開發此類大容量存儲器所面臨的挑戰，這可能需要十年或更長時間才能實現。
根據三星電子NAND產品規劃組副總裁/總經理Kyungryun Kim的說法，技術的發展分為三個層次:物理縮放、邏輯縮放和封裝技術，理論上能夠實現容量高達 1 拍字節 (PB) 或 1,024 太字節 (TB)。但是，該公司預計至少在十年內無法使用當前的技術標準實現這一目標。三星還在探索將四級單元技術用於更多存儲設備，並努力提高其功能。
在討論實現更高容量的過程中，三星還展示了他們最新的固態硬盤，即採用 PCIe 5.0 的 PM1743 系列。該公司聲稱，這個新系列的能效比以前的型號高 40%，並且已經過測試，可以與英特爾和 AMD PCIe Gen 5 平台無縫協作。
眾所周知，三星在以下方面保持技術進步3D NAND 內存處於保密狀態。然而，該公司現在的目標是向市場推出採用率更高的四級單元 3D NAND 設備。三星認為，改進控制器技術將有助於實現這一目標。目前，三星專注於 3D NAND 設備的物理縮放。然而，為了實現超過一千層的存儲設備訪問，該公司需要探索邏輯擴展，這將允許增加每個單元中存儲的信息位數。
雖然三星對其技術進步一直相對沉默，但其競爭對手鎧俠卻更為坦誠。 Kioxia 於 2019 年推出了五級單元 3D NAND 存儲器，每個單元最多可存儲五位。兩年後，Kioxia 超越了 5 bpc 技術，達到了 6 bpc。該公司還表示，它正在研究是否可以達到 8 bpc，這將創建八級單元 3D NAND 存儲設備，但尚未實現。
3D NAND 製造商在每個單元存儲多個位時面臨著幾個挑戰。一個重大障礙是確定可以存儲不同電壓狀態而不受干擾的材料。他們還必須創建糾錯技術，以確保數據在每個單元的位數增加時保持完整。
通過 AS雜誌