Qualcomm 的 Snapdragon 8 Gen 2 SoC 是該公司最新且最強大的芯片組。它已被用於最近一些新的高端智能手機，如 OnePlus 11 5G、iQoo 11 5G 和備受關注的三星 Galaxy S23 系列。根據最近的洩密事件，即將發布的高通驍龍 8 Gen 3 SoC 的關鍵規格已經公佈。預計新芯片組將在處理能力、圖形功能和能源效率方面比其前身 Snapdragon 8 Gen 2 有顯著改進。
根據 leak by RGcloudS (@RGcloudS)，高通將推出與驍龍 8 Gen 2 相同 CPU 佈局的驍龍 8 Gen 3 芯片組，它具有 1+4+3 配置。現在，根據一份新報告，該公司正在增加性能核心的數量，同時通過新的 1+5+2 配置犧牲效率核心。
Leaker Revegnus(@Tech_Reve) 建議 據稱驍龍 8 Gen 3 芯片組具有一個運行頻率為 3.2 GHz 的 Cortex-X4 內核。它將有五個以 3.0 GHz 運行的 Cortex-A720 內核和兩個以 2.0 GHz 運行的 Cortex-A520 內核。這更有可能，因為另一個洩漏預測，Snapdragon 8 Gen 3 處理器將需要所有性能核心在 Geekbench 的單核和多核測試中可以達到 1,930/6,236 分。
UFS 4.1 內存、LPDDR5 7,500 MT/s RAM、Adreno 750 GPU 和 Qualcomm X75 5G 調製解調器均在其中其他 Snapdragon 8 Gen 3 芯片組規格。根據爆料，驍龍 8 第三代將基於台積電的 N4P 工藝節點，這意味著三代高通旗艦將鎖定台積電 N5 節點的有效多種變體。
大性能上面提到的改進可能需要的不僅僅是一個小的節點進步。 Snapdragon 8 Gen 3 是一款 3 納米芯片，預計將在三星或台積電的尖端節點上生產，或者在三星和台積電的尖端節點上生產。
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