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一家半飢餓的英國公司通過推出使用可行版本的 ReRAM。
Intrinsic Semiconductor Technologies 正在研究一種新的 ReRAM 技術，現在已經籌集到足夠的資金，可以將非易失性 RAM 的失敗承諾轉化為創新單芯片計算解決方案的真正商機。
Intrinsic 是一家英國初創公司，於 2017 年由倫敦大學學院 (UCL) 而 ReRAM 是憶阻器技術的商業實現，在 1971 年被描述為與電阻器、電容器和電感器一起的四重基本電子元件中的“缺失環節”。 “憶阻系統”是一種具有記憶功能的電阻器，因為它可以在施加電流時改變其電阻，並且可以在電流關閉時記住其狀態。
ReRAM 可以提供快速數據存儲由於功率要求低，但是幾十年來它一直受到破壞，因為一些知名人士已經嘗試過但未能成功。十多年前，惠普試圖開發商業上可行的基於憶阻器的解決方案，但最終失敗了。 3D XPoint 等競爭性 RAM 技術的壽命很短:它們承諾具有卓越的性能，但未能滿足早期的商業預期。
Intrinsic 表示，其新推出的 ReRAM 技術幾乎解決了早期憶阻解決方案的所有問題。該公司在由 Octopus Ventures 和其他投資者領投的一輪融資中獲得了 700 萬英鎊（850 萬歐元），並從英國創新機構（Innovate UK）獲得了 100 萬英鎊。
Intrinsic 的 ReRAM 技術可用於使用標準半導體材料製成，例如二氧化矽。 Intrinsic 的 ReRAM 技術是一種 CMOS 投訴，對於製造商來說應該更便宜，因為他們可以使用現有機器吐出 ReRAM 內存碎片。
這家英國公司聲稱其 ReRAM 解決方案更容易集成到 CPU 邏輯電路中，而傳統閃存不提供相同級別的集成便利性。據 Intrinsic 首席執行官馬克·迪金森 (Mark Dickinson) 稱，在“需要大量數據的智能應用程序”變得越來越普遍的時候，新的 RRAM 技術有可能“成為”下一代邊緣計算和物聯網計算的支柱。