1Tb TLC 和 QLC 閃存芯片
Kioxia Corporation 和 Western Digital Corp. 今天都公佈了他們最新的 3D 閃存技術 218-帶有 1Tb TLC 和 QLC 芯片的 3D NAND 層。
根據提供的詳細信息，公司已應用先進的縮放和晶圓鍵合技術，以實現更高的容量、性能和可靠性，同時降低成本，使其成為“滿足廣泛細分市場指數增長需求的理想選擇。”
公司正在垂直和橫向縮放之間取得平衡，以便以優化的成本在層數更少的更小芯片中提供更大的容量。他們採用CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，即每片CMOS晶圓和單元陣列晶圓分別製造，然後鍵合在一起。
新的218層3D閃存採用1Tb triple-具有四個平面的電平單元 (TLC) 和四層單元 (QLC)，採用創新的橫向收縮技術，可將位密度提高 50%。根據聲明，高速 NAND I/O 達到 3.2Gb/s，比上一代提高 60%，加上寫入性能和讀取延遲提高 20%，從而為用戶帶來更高的整體性能和可用性.
“通過我們獨特的工程合作夥伴關係，我們成功推出了具有業界最高位密度的第八代 BiCS FLASH，”Kioxia Corporation 首席技術官 Masaki Momodomi 說。 “我很高興 Kioxia 已經開始為有限的客戶出貨樣品。通過應用 CBA 技術和擴展創新，我們改進了我們的 3D 閃存技術組合，用於一系列以數據為中心的應用，包括智能手機、物聯網設備和數據
“新的 3D 閃存展示了我們與 Kioxia 強有力的合作夥伴關係以及我們聯合創新領導地位的好處，”西部數據技術與戰略高級副總裁 Alper Ilkbahar 說。 “通過採用共同的研發路線圖並持續投資於研發，我們已經能夠提前將這一基礎技術產品化，並提供高性能、資本高效的解決方案。”