A Intel fez progressos significativos em desenvolvendo os processos de fabricação Intel 18A (classe 1,8nm) e Intel 20A (classe 2nm). Esses processos serão usados para fabricar chips para produtos da Intel e seus clientes da divisão Intel Foundry Services (IFS).
Wang Rui, presidente e presidente da Intel China, anunciou que a empresa finalizou o desenvolvimento desses processos. A Intel determinou todas as especificações, materiais, requisitos e metas de desempenho para ambas as tecnologias. Este é um marco significativo no desenvolvimento desses processos.
O processo de fabricação do Intel 20A usará transistores RibbonFET Gate All Around (GAA) e entrega de energia traseira (BPD) PowerVia. Esse processo envolve a redução do passo do metal, a introdução de uma nova estrutura de transistor e a adição de potência traseira. É um desafio significativo, mas permitirá que a Intel supere os concorrentes TSMC e Samsung Foundry, permitindo que ela recupere sua antiga glória. A Intel planeja começar a usar o nó no primeiro semestre de 2024.
O processo de fabricação do Intel 18A refina ainda mais as tecnologias RibbonFET e PowerVia da empresa para reduzir o tamanho do transistor. O desenvolvimento deste nó está progredindo bem o suficiente para que a Intel esteja empurrando sua introdução do final de 2025 para o final de 2024. Originalmente, a Intel planejava usar o scanner Twinscan EXE com ótica de abertura numérica (NA) de 0,55, ASML High NA, para o nó de 1,8 Angstrom mas decidiu começar a usar essa tecnologia cedo, então decidiu usar 0.33NA. A empresa espera que, quando a tecnologia de fabricação de classe de 1,8 nm entrar no HVM (Fabricação de Alto Volume) no segundo semestre de 2024, ela se tornará o nó mais avançado do setor.