El SoC Snapdragon 8 Gen 2 de Qualcomm es el conjunto de chips más reciente y más potente de la empresa. Recientemente se ha utilizado en algunos de los nuevos teléfonos inteligentes de gama alta, como OnePlus 11 5G, iQoo 11 5G y la serie Samsung Galaxy S23 de la que tanto se habla. Según filtraciones recientes, se han revelado las especificaciones clave del próximo SoC Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3. Se espera que el nuevo conjunto de chips ofrezca mejoras significativas con respecto a su predecesor, el Snapdragon 8 Gen 2, en términos de potencia de procesamiento, capacidades gráficas y eficiencia energética.
Según fuga de RGcloudS (@RGcloudS), Qualcomm lanzará el conjunto de chips Snapdragon 8 Gen 3 con el mismo diseño de CPU que el Snapdragon 8 Gen 2, que tiene la configuración 1+4+3. Ahora, según un nuevo informe, la empresa está aumentando la cantidad de núcleos de rendimiento mientras sacrifica un núcleo de eficiencia con una nueva configuración 1+5+2.
Leaker Revegnus( @Tech_Reve) sugirió que se dice que el conjunto de chips Snapdragon 8 Gen 3 tiene un solo núcleo Cortex-X4 que funciona a 3,2 GHz. Tendrá cinco núcleos Cortex-A720 funcionando a 3,0 GHz y dos núcleos Cortex-A520 funcionando a 2,0 GHz. Esto es mucho más probable, ya que otra fuga predijo que el procesador Snapdragon 8 Gen 3 requerirá todos los núcleos de rendimiento puede llegar a lograr 1930/6236 puntos en las pruebas de uno y varios núcleos de Geekbench.
La memoria UFS 4.1, LPDDR5 7500 MT/s RAM, una GPU Adreno 750 y un módem Qualcomm X75 5G se encuentran entre los otras especificaciones del conjunto de chips Snapdragon 8 Gen 3. Según la filtración, el Snapdragon 8 Gen 3 se construirá en el nodo de proceso N4P de TSMC, lo que implica que tres generaciones de buques insignia de Qualcomm estarán bloqueados en lo que son efectivamente múltiples variaciones del nodo N5 de TSMC.
El gran rendimiento las mejoras mencionadas anteriormente probablemente requerirán más que un avance de nodo menor. El Snapdragon 8 Gen 3 es un chip de 3 nm que se espera que se produzca en el nodo de vanguardia de Samsung o TSMC, o en el nodo de vanguardia de Samsung y TSMC.
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