Intel hat erhebliche Fortschritte gemacht Entwicklung der Fertigungsprozesse für Intel 18A (1,8-nm-Klasse) und Intel 20A (2-nm-Klasse). Diese Prozesse werden zur Herstellung von Chips für die Produkte von Intel und die Kunden des Geschäftsbereichs Intel Foundry Services (IFS) verwendet.

Wang Rui, Präsident und Vorsitzender von Intel China, gab bekannt, dass das Unternehmen die Entwicklung dieser Prozesse abgeschlossen hat. Intel hat alle Spezifikationen, Materialien, Anforderungen und Leistungsziele für beide Technologien festgelegt. Dies ist ein bedeutender Meilenstein in der Entwicklung dieser Prozesse.

Der Herstellungsprozess des Intel 20A wird Gate All Around (GAA) RibbonFET-Transistoren und PowerVia Backside Power Delivery (BPD) verwenden. Dieser Prozess umfasst das Schrumpfen des Metallabstands, das Einführen einer neuen Transistorstruktur und das Hinzufügen von Rückseitenleistung. Es ist eine große Herausforderung, aber es wird Intel ermöglichen, die Konkurrenten TSMC und Samsung Foundry zu übertreffen und zu seinem früheren Glanz zurückzufinden. Intel plant, den Knoten in der ersten Hälfte des Jahres 2024 einzusetzen.

Der Herstellungsprozess von Intel 18A verfeinert die RibbonFET-und PowerVia-Technologien des Unternehmens weiter, um die Transistorgröße zu reduzieren. Die Entwicklung dieses Knotens schreitet so gut voran, dass Intel seine Einführung auf Ende 2025 bis Ende 2024 schiebt. Ursprünglich plante Intel, den Twinscan EXE-Scanner mit einer Optik mit 0,55 numerischer Apertur (NA), ASMLs High NA, für den 1,8-Angström-Knoten zu verwenden entschied sich jedoch, diese Technologie früh einzusetzen, also entschied man sich für 0,33 NA. Das Unternehmen geht davon aus, dass die Fertigungstechnologie der 1,8-nm-Klasse in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 in HVM (High Volume Manufacturing) zum fortschrittlichsten Knotenpunkt der Branche wird.

By Kaitlynn Clay

Ich arbeite als UX Experte. Ich interessiere mich für Webdesign und Nutzerverhaltensanalyse. An meinen freien Tagen besuche ich immer das Kunstmuseum.