Samsung kündigt den DDR5-DRAM der nächsten Generation der 12-nm-Klasse an, der Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gbit/s erreicht.
Der von Samsung entwickelte DDR5-DRAM verwendet die branchenweit erste 12-nm-Prozesstechnologie und wurde bereits auf Kompatibilität mit AMD evaluiert. AMD hat mit seiner neuesten Ryzen 7000-Serie bereits vollständig auf DDR5 umgestellt.
Samsungs DRAM der 12-nm-Klasse nutzt den neuesten DDR5-Standard und liefert Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 7,2 Gbit/s. Dies entspricht der Verarbeitung von zwei 30-GB-UHD-Filmen in nur einer Sekunde. Die Energieeffizienz wurde ebenfalls verbessert, wobei der Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichem DRAM um bis zu 23 % reduziert wurde. Es ist ideal für Rechenzentren, Anwendungen der künstlichen Intelligenz (KI) und leistungsstarke Computersysteme der nächsten Generation.
Der Schlüssel zur Realisierung des neuen DDR5-DRAM war ein neues Material mit hoher Dielektrizitätskonstante, das die Kapazität erhöht der Zelle und eine einzigartige Designtechnik, die kritische Schaltungseigenschaften verbessert. Darüber hinaus hat Samsung durch die Einführung der EUV-Lithographie (Extreme Ultraviolet) die branchenweit höchste Chipdichte erreicht und die Waferproduktivität um 20 % verbessert.
Mit dem Ziel, die Massenproduktion im Jahr 2023 zu starten, plant Samsung, sein Angebot zu erweitern von DRAMs, die diese hochmoderne Prozesstechnologie der 12-nm-Klasse verwenden, für eine breite Palette von Marktsektoren und arbeiten mit Industriepartnern zusammen, um die schnelle Verbreitung von Computern der nächsten Generation zu unterstützen.