TSMC gab bekannt, dass es am 29. Dezember eine Zeremonie abhalten wird, um den Start der Massenproduktion zu feiern unter Verwendung des 3-nm-Prozesses.
Die Zeremonie findet in TSMCs Fab 18 im Science Park in Tainan, Taiwan, statt. Die Veranstaltung wird die Installation der letzten Anlage in der Fabrik feiern und auch Pläne zur Ausweitung der 3-nm-Produktion in den kommenden Jahren detailliert darlegen.
Mit dem Beginn der Massenproduktion im 3-nm-Prozess wird diese Technologie die neueste Technologie, die TSMC für die kommerzielle Produktion verwendet. Nächstes Jahr ist die Massenproduktion des N3E-Prozesses geplant, der Chips mit besseren Ausbeuten auf Basis der 3-nm-Technologie produziert.
Der 3-nm-Prozess von TSMC wird dagegen wie bisher die FinFET-Technologie (FinField-Effect-Transistor) verwenden an Samsung, das GAA (Gate-All-Around) FET im Voraus übernommen hat. Der neue 3-nm-Prozess soll 10-15 % schneller und 25-30 % energieeffizienter sein als der 5-nm-Prozess, der letztes Jahr in die Massenproduktion ging.
Aufträge für den 3-nm-Prozess von TSMC werden weltweit erwartet Unternehmen wie Apple und Intel. Insbesondere Apple soll den 3-nm-Prozess von TSMC verwenden, um Apples Silizium, das M2 Pro und das M2 Max, herzustellen, die voraussichtlich im neuen MacBook Pro verwendet werden.
Wie Samsung tut es auch TSMC Arbeiten an einem anspruchsvolleren 2-nm-Prozess, Bau einer 2-nm-Fabrik in Hsinchu mit Plänen, die Massenproduktion im Jahr 2025 aufzunehmen.
Der 2-nm-Prozess wird der erste Prozess für TSMC sein, der die GAA-Struktur übernimmt. Infolgedessen werden im Vergleich zum 3-nm-Prozess noch größere Leistungsverbesserungen erwartet.
Anfang Dezember sagte Wayne Wang, Direktor der Hsinchu Science Park Authority, dass TSMC plant, eine 1-nm-Prozessfabrik im Longtan-Viertel von Hsinchu zu bauen Science Park, aber TSMC selbst hat diese Aussage nicht gemacht.