Chip flash TLC e QLC da 1 TB
Kioxia Corporation e Western Digital Corp. hanno entrambi annunciato oggi i dettagli della loro nuova tecnologia di memoria flash 3D, la 218-layer 3D NAND con chip TLC e QLC da 1 Tb.
Secondo i dettagli forniti, le aziende hanno applicato tecnologie avanzate di scaling e wafer bonding per ottenere maggiore capacità, prestazioni e affidabilità, il tutto mantenendo bassi i costi, rendendolo”ideale per soddisfare le esigenze di crescita esponenziale in un’ampia gamma di segmenti di mercato.”
Le aziende utilizzano un equilibrio tra il ridimensionamento verticale e quello laterale per ottenere una maggiore capacità in uno stampo più piccolo con meno strati, a un costo ottimizzato. Utilizzano la tecnologia CBA (CMOS direct Bonded to Array), il che significa che ogni wafer CMOS e wafer di array di celle viene prodotto separatamente e quindi unito insieme.
Il nuovo flash 3D a 218 strati utilizza 1 Tb triple-level-cell (TLC) e quad-level-cell (QLC) con quattro piani con innovativa tecnologia di restringimento laterale che ha aumentato la densità di bit del 50 percento. Con l’I/O NAND ad alta velocità che raggiunge i 3,2 Gb/s, che con un miglioramento del 60% rispetto alla generazione precedente, combinato con un miglioramento delle prestazioni di scrittura e della latenza di lettura del 20%, porta a prestazioni complessive e usabilità più elevate per gli utenti, secondo le dichiarazioni.
“Grazie alla nostra partnership ingegneristica unica, abbiamo lanciato con successo BiCS FLASH di ottava generazione con la densità di bit più elevata del settore”, ha dichiarato Masaki Momodomi, Chief Technology Officer di Kioxia Corporation.”Sono lieto che le spedizioni di campioni di Kioxia per clienti limitati siano iniziate. Applicando la tecnologia CBA e le innovazioni di scalabilità, abbiamo avanzato il nostro portafoglio di tecnologie di memoria flash 3D da utilizzare in una gamma di applicazioni incentrate sui dati tra cui smartphone, dispositivi IoT e dati center.”
“La nuova memoria flash 3D dimostra i vantaggi della nostra solida partnership con Kioxia e la nostra leadership nell’innovazione combinata”, ha dichiarato Alper Ilkbahar, Senior Vice President of Technology & Strategy di Western Digital.”Lavorando con una roadmap comune di ricerca e sviluppo e continui investimenti in ricerca e sviluppo, siamo stati in grado di produrre questa tecnologia fondamentale prima del previsto e fornire soluzioni ad alte prestazioni ed efficienti in termini di capitale”.