Il SoC Snapdragon 8 Gen 2 di Qualcomm è il chipset più recente e più potente dell’azienda. Recentemente è stato utilizzato in alcuni dei nuovi smartphone di fascia alta, come OnePlus 11 5G, iQoo 11 5G e la tanto chiacchierata serie Samsung Galaxy S23. Secondo recenti indiscrezioni, sono state rivelate le specifiche chiave del prossimo SoC Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3. Il nuovo chipset dovrebbe offrire miglioramenti significativi rispetto al suo predecessore, lo Snapdragon 8 Gen 2, in termini di potenza di elaborazione, capacità grafiche ed efficienza energetica.
Secondo un leak di RGcloudS (@RGcloudS), Qualcomm lancerà il chipset Snapdragon 8 Gen 3 con lo stesso layout della CPU dello Snapdragon 8 Gen 2, che ha la configurazione 1+4+3. Ora, secondo un nuovo rapporto, l’azienda sta aumentando il numero di performance core sacrificando un core di efficienza con una nuova configurazione 1+5+2.
Leaker Revegnus( @Tech_Reve) ha suggerito che si dice che il chipset Snapdragon 8 Gen 3 abbia un singolo core Cortex-X4 a 3,2 GHz. Avrà cinque core Cortex-A720 in esecuzione a 3,0 GHz e due core Cortex-A520 in esecuzione a 2,0 GHz. Questo è molto più probabile, poiché un’altra fuga di notizie ha previsto che il processore Snapdragon 8 Gen 3 richiederà tutti i core ad alte prestazioni può arrivare a raggiungere 1.930/6.236 punti nei test single e multi-core di Geekbench.
Memoria UFS 4.1, RAM LPDDR5 7.500 MT/s, una GPU Adreno 750 e un modem Qualcomm X75 5G sono tra i altre specifiche del chipset Snapdragon 8 Gen 3. Secondo la fuga di notizie, lo Snapdragon 8 Gen 3 sarà costruito sul nodo di processo N4P di TSMC, il che implica che tre generazioni di flagship Qualcomm saranno bloccate su quelle che sono effettivamente molteplici variazioni del nodo N5 di TSMC.
Le grandi prestazioni i miglioramenti sopra menzionati richiederanno probabilmente più di un piccolo avanzamento del nodo. Lo Snapdragon 8 Gen 3 è un chip da 3 nm che dovrebbe essere prodotto sul nodo all’avanguardia di Samsung o TSMC, o su entrambi i nodi all’avanguardia di Samsung e TSMC.
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