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Durante il China Flash Memory Market Summit (CFMS2023), Samsung Electronics, insieme ad altre aziende di memorie flash tra cui Micron, Kioxa, Arm, Solidigm e Phison, hanno discusso della”rievoluzione delle memorie flash e Verso una nuova era. Samsung Electronics ha specificamente menzionato i suoi piani per offrire SSD con capacità fino a petabyte utilizzando la futura tecnologia 3D NAND, anche se questo potrebbe richiedere un decennio o più per essere raggiunto a causa delle sfide associate allo sviluppo di una memoria ad alta capacità.
Secondo Kyungryun Kim, vicepresidente/GM del gruppo di pianificazione dei prodotti NAND presso Samsung Electronics, ci sono tre livelli di tecnologia in evoluzione: scaling fisico, scaling logico e tecnologia del pacchetto, che sono teoricamente in grado di raggiungere capacità fino a un petabyte (PB) o 1.024 terabyte (TB). Tuttavia, l’azienda non prevede di raggiungere questo obiettivo utilizzando gli attuali standard tecnologici per almeno dieci anni. Samsung sta inoltre esplorando l’uso della tecnologia quad-level cell per più dispositivi di memoria e sta lavorando per migliorarne le capacità.
Durante la discussione sul raggiungimento di maggiori capacità, Samsung ha presentato anche la sua ultima unità a stato solido, la serie PM1743, che utilizza PCIe 5.0. La società ha affermato che questa nuova serie è il 40% più efficiente dal punto di vista energetico rispetto ai modelli precedenti ed è stata testata per funzionare perfettamente con le piattaforme Intel e AMD PCIe Gen 5.
Samsung è nota per mantenere i suoi progressi tecnologici per quanto riguarda Memoria NAND 3D nascosta. Tuttavia, l’azienda punta ora a introdurre sul mercato dispositivi NAND 3D a celle quadruple con tassi di adozione più elevati. Samsung ritiene che il miglioramento della tecnologia del controller aiuterebbe a raggiungere questo obiettivo. Al momento, Samsung si concentra sul ridimensionamento fisico dei dispositivi 3D NAND. Tuttavia, per ottenere l’accesso al dispositivo di memoria oltre mille livelli, l’azienda dovrebbe esplorare il ridimensionamento logico, che consentirebbe di aumentare il numero di bit di informazioni archiviati all’interno di ciascuna cella.
Mentre Samsung è stata relativamente tranquilla riguardo ai suoi progressi tecnologici, il suo concorrente Kioxia è stato più disponibile. Kioxia ha introdotto la memoria NAND 3D a cella penta nel 2019, in grado di memorizzare fino a cinque bit per cella. Due anni dopo, Kioxia ha superato la tecnologia a 5 bpc e ha raggiunto i 6 bpc. La società ha anche indicato che stava studiando se potesse arrivare fino a 8 bpc, il che creerebbe un dispositivo di memoria NAND 3D a celle octa-level, anche se non l’ha ancora raggiunto.
Produttori di NAND 3D affrontare diverse sfide quando si tratta di memorizzare più bit per cella. Un ostacolo significativo è l’identificazione di materiali in grado di memorizzare diversi stati di tensione senza interferenze. Devono inoltre creare tecniche di correzione degli errori per garantire che i dati rimangano intatti all’aumentare del numero di bit per cella.
Tramite AS Mag