Intel ha compiuto significativi progressi nella sviluppare i processi di produzione Intel 18A (classe 1,8 nm) e Intel 20A (classe 2 nm). Questi processi verranno utilizzati per produrre chip per i prodotti Intel e per i suoi clienti della divisione Intel Foundry Services (IFS).
Wang Rui, presidente e presidente di Intel China, ha annunciato che la società ha finalizzato lo sviluppo di questi processi. Intel ha determinato tutte le specifiche, i materiali, i requisiti e gli obiettivi prestazionali per entrambe le tecnologie. Questa è una pietra miliare significativa nello sviluppo di questi processi.
Il processo di produzione Intel 20A utilizzerà transistor RibbonFET Gate All Around (GAA) e PowerVia backside power delivery (BPD). Questo processo comporta la riduzione del passo del metallo, l’introduzione di una nuova struttura a transistor e l’aggiunta di potenza posteriore. È una sfida significativa, ma consentirà a Intel di superare i concorrenti TSMC e Samsung Foundry, permettendole di riconquistare il suo antico splendore. Intel prevede di iniziare a utilizzare il nodo nella prima metà del 2024.
Il processo di produzione Intel 18A perfeziona ulteriormente le tecnologie RibbonFET e PowerVia dell’azienda per ridurre le dimensioni dei transistor. Lo sviluppo di questo nodo sta procedendo abbastanza bene che Intel sta spingendo la sua introduzione dalla fine del 2025 alla fine del 2024. Inizialmente, Intel prevedeva di utilizzare lo scanner Twinscan EXE con ottica di apertura numerica (NA) da 0,55, High NA di ASML, per il nodo da 1,8 Angstrom ma ha deciso di iniziare a utilizzare questa tecnologia in anticipo, quindi ha deciso di utilizzare 0.33NA. L’azienda prevede che quando la tecnologia di produzione di classe 1,8 nm entrerà in HVM (High Volume Manufacturing) nella seconda metà del 2024, diventerà il nodo più avanzato del settore.